（2）将单向脉动支流电送到可控硅，经电阻降压，作为触发电路的直流电源。***（3）通过对电容的冲放电来控制张弛振荡器。***（4）形成一个尖脉冲送到可控硅的控制极。
电容并联：将4个450V、1000uF的电容并联使用是合适的。这种电容的并联可以提供较大的电容量，同时确保较高的电压承受能力。
可控硅有A，K，G三脚，当AK间加上交流电，在KG之间加一触发信号，单向可控硅在交流半波（10毫秒内）任意时间起加触发，其信号可很短，（例如10微秒的脉冲）可控硅导通。
电容的工作原理：是通过在电极上储存电荷储存电能，通常与电感器共同使用形成LC振荡电路。电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存。
可控硅调压电路的负载一般是不允许接滤波电容的，因为可控硅一旦触发，如果阳极间有电压，即便触发电压撤销，它仍然会导通的，这是它区别于其他控制器件的关键一点。
1、可控硅丝印面对自己，分别是TT2，和触发极G，保证G和T1间有一定电位差，加上G通上相应的电流，就可以导通T1和T2，从而具有开关的作用。BT136使用在不同的象限，触发电流不同，建议用8-10mA电流触（即G极输入电流）。
2、触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。
3、可控硅的触发是门极加上对阴极为正的触发脉冲，触发脉冲的产生是用BT3BT35等双基极二极管组成的张驰振荡器，不是三极管。
4、单向可控硅调压电路***可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
5、单向可控硅的触发电路如图：***VTVRC***T是电源变压器，初级220伏次级9伏，通过4个二极管组成整流桥全波整流输出9伏直流电压，经过VW稳压管输出6伏给单结晶体管V提供工作电压。RC是单结晶体管的充电放电回路，VT是KP20A可控硅。
6、单向可控硅触发电路非常多，需根据具体需求选择。上图是其中一种。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极)。 其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。 本文转载自互联网，如有侵权，联系删除