扫一扫用手机浏览
理论电路正确。***注意连线是否正确。***灯泡的瓦数和可控硅的规格配合是否合理。***火线、零线，应该注意连接位置，避免外壳带电。***拔下单片机芯片，直接用＋5V，触碰510电阻。
印制板烧毁，说明电路板上通过了强大的电流。表面上是T9mos管烧毁，查一下，还有其它的mos管也被击穿了，可能是同一侧的两个mos都被击穿了，造成短路了，才会产生强大的短路电流。
正常情况下，不会烧坏IO口，但是如果MOS管被烧的话，有可能有大电流灌入IO口，从而造成烧坏IO口的情况。
可靠性要求：***电源芯片通常具有内置的过流保护、过温保护等功能，可以提高系统的可靠性，减少故障的发生概率。
单片机引脚直接驱动MOS不安全，正确的做法是单片机驱动三极管然后驱动MOS管，或者直接用专门的芯片比如IR2104。
可以。to220封装的mos管的栅极电容很小，输入阻抗很高，只需要微弱的电流即可控制msofet的导通和截止，这使得单片机输出的电流可以直接驱动to220封装的mos管的栅极。
最好加三极管驱动电路的。要注意51系列单片机开机复位端口是高电平的问题。
就是mos管g级电容充电所需电流）也不尽相同，还要看mos管导通电压，一般mos管vgs***4v以上才开始导通，完全导通需要的电压更高。单片机供电电压一般5v，可能不足以让mos管完全导通。
1、应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。
2、所以你IO上的负载，不要超过它的承受能力，会烧IO甚至整个MCU的。
3、可以。我们认为MOS管是电压控制型器件，其正常工作时是不需要电流的（开或关的稳态条件下），只要有维持电压，MOS管即可保持开启或关闭状态。串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。
4、如果单片机IO能配制成OD门的话，这样也许还好，至少不会烧IO，并且电平也确实能拉到5V。还有，普通的功率mos管，栅极的开启电压都比较高，3V甚至5V都达不到。
5、单片机引脚直接驱动MOS不安全，正确的做法是单片机驱动三极管然后驱动MOS管，或者直接用专门的芯片比如IR2104。
一般过电流越大，MOS管的击穿电压越低；如果烧坏的MOS管表面看上去完好，那就有可能是击穿了。
和电容组成RC似乎不妥，电容位置应该是独立的驱动电源，降低电压变化速率，也起稳定作用，目的是释放栅极积累的电荷，避免误导通。
A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。***与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
和电容组成RC似乎不妥，电容位置应该是独立的驱动电源，降低电压变化速率，也起稳定作用，目的是释放栅极积累的电荷，避免误导通。
MOS***损坏主要原因：过流——持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁。过压——源漏过压击穿、源栅极过压击穿。
经线路分析，确认其为该板中的主要元件：环形脉冲分配器。为进一步确认该芯片的问题，首先换耐压电流功率相当的步进电机电源驱动管，恢复该芯片的电源引脚，用发光二级管电路替代步进电机各绕组作模拟负载。
MOS管要留意的参数除了电流，还有一个就是击穿电压；一般过电流越大，MOS管的击穿电压越低；如果烧坏的MOS管表面看上去完好，那就有可能是击穿了。
你好：——★24V400W直流电机的工作电流接近20A，大功率MOS管不应该过电流烧毁的，应该属于直流电机产生的反电势击穿了管子。
所以当PWM一半时，电流不到保护值，保护不动作。但这时MOS管的散热不足，热量积累造成烧毁。当PWM全开时，由于电流保护动作，虽然MOS管散热不足，但时间很短，所以不会烧毁。解决办法：增大MOS管散热面积。
本文转载自互联网，如有侵权，联系删除