1、下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。
2、用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。
3、所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
4、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V***75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
2、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
3、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
4、MOS开关电路***MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。
1、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
2、由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。
3、比如***npn***管***发射极***接电源***基极有一定的电压***使其导通，打开了三极管开关的阀门，电流从发射极进入，从基极，集电极流出***。
4、反过来流动也是可以的。对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。
5、mos场效应管图形符号的箭头也是表示电流反向的，mos场效应管有P型沟道和N型沟道两种。
1、场效应管防反接电路相比二极管防反接电路最大的优势是几乎零压降，二极管的压降一般都0.5V~1V左右，但是场效应管就不一样了，场效应管的内阻很小，小的只有几mΩ。
2、独立的防雷保护接地电阻应小于等于10欧；独立的安全保护接地电阻应小于等于4欧；独立的交流工作接地电阻应小于等于4欧；独立的直流工作接地电阻应小于等于4欧；防静电接地电阻一般要求小于等于100欧。
3、一般是10欧的，10k下拉电阻，10欧足够了，场管是电压控制元件1M的电阻都可以触发导通。
4、保护接地电阻是多少如下：保护接地的接地电阻不能大于10Ω。这是因为，要使接地装置具有安全保护功能，必须在最短的时间内将元件的缺相或绝缘缺陷的电流排出接地装置，达到保护的效果。
1、三极管简称晶体管，分为NPN型和PNP型两种，是最重要的一种半导体器件。它用于放大作用和开关作用。MOS管也称为场效应管，是一种较新型的半导体器件。外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同。
2、当然是反相的，因为基极的极性与集电极的极性是相反的，基极与发射极是同相的，与集电极是反相的。基极输入电位越高，三极管越导通，哪么三极管上面分的电压就越小，集电极输出就越小，所以基极与集电极关系正好相反。
3、因此：输入上升输出下降，是反相的。***射极输出时，发射极上有电阻RE，集电极上没有电阻RC.输出是从RE两端接出的，当基极输入信号增加时，发射极电流IE增加，则：IE*RE=Vo，也增加，所以是同相的。
4、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
5、三极管在应用中，可组成共E、共C、共B接法三种放大电路。输入、输出端如下：共E接法：B进C出。共C接法：B进E出。共B接法：E进C出。
mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
mos是一种具有放大功能的特殊器件，其工作原理是当mos导通的时候，电流会通过一个特殊的电阻压敏电阻流进到输入级，反之如果mos截止时，电流就会从输出端直接流出。
MOS互补电路，即为CMOS（Complementary***Mos），其特点是在一块p衬底上嵌入N阱，进而可以使得NMOS和PMOS做到一起，减少面积。
A是双MOS功率管***主要功能是：当电池电压升至***4V***时，***DW01***会认为电池电压处于过充电电压状态，并立即断开第三个引***脚的输出电压，从而使第三个引脚的电压变为***0V，并且开关由于第***四个引脚没有电压。
两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
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