1、比较普遍的都是用30PF，高频瓷片电容15到30均可，主要是稳定波形，耐压高于电源电压就可以。
2、一般选择晶振的电容值要比引脚杂散电容高8~10倍，来减少杂散电容影响。***一般IC引脚杂散电容2~3pF，所以应该选择16~30PF的电容比较合适。晶振大小其实影响不大。我们一般选择27P电容。
3、需要接多大的起振电容是要根据你的3768M晶振的负载及你线路的一个整体杂散电容来选择的，不管你的是3768M还是3768K晶振他的选择都是一样的。
4、外部一般接2只负载电容，容值推荐16PF~30PF之间均可。就用市场上最常见偏宜的瓷片电容即可。
5、单片机时钟电路用12M晶振，电容不是计算的，就是晶振需要配置的电容，通常取20P~33P都行。其实，这个电容，都是从第一本单片机书那抄过来的，多少年了，就没变过。
6、一般的晶振的负载电容为***15p***或***15p***，如果再考虑元件引脚的***等效输入电容，则两个***22p***的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的***选择。
单片机晶振电路的两个瓷片电容是20～33PF***。51单片机最小系统：时钟电路51***单片机上的时钟管脚：XTAL1（19***脚）***：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18***脚）***：芯片内部振荡电路输出端。
需要连接两个22pF的电容，用于稳定晶振的震荡频率。
负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。
晶振旁边的电容有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。
单片机晶振的电容是瓷片电容。瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
1、单片机晶振的两个电容与晶振组成振荡器，不停的充放电就得到了脉冲波形了。 2、主要作用是平衡晶振引脚的电感的。因为晶振在高频工作时有寄生电感，为了平衡电感，起到谐振的作用。所以要用两个小电容来平衡电感。一般电容的选20pf--30pf的就可以了。具体的大小请参看晶振厂家提供的数据手册。 3、单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容，它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。 4、晶振电路的两个电容的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话，振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。 5、单片机的外接晶振要对地连接两个电容，这两个电容是晶体振荡器的两个负载电容器，起着匹配负载频率的作用，有了这两个电容器，电路更容易起振，频率更为稳定。不同的晶振，要求不同的负载电容器。 6、叫负载电容。一般单片机的晶振工作于并联谐振状态，也可以理解为谐振电容的一部分。它是根据晶振厂家提供的晶振要求负载电容选值的，换句话说，晶振的频率就是在它提供的负载电容下测得的，能最大限度的保证频率值的误差。 本文转载自互联网，如有侵权，联系删除