1、一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。TYN1225和4OTPs12都是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可相互替换。
2、TYN610不可以代换TYN1225。TYN610是单向可控硅：600V10A，TYN1225也是单向可控硅：1200V25A。可控硅(SCR：***Silicon***Controlled***Rectifier)是可控硅整流器的简称。
3、可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。
1、大功率可控硅调压器原理图如下图所示***可控硅，一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
2、调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
3、可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电动机端电压的波形，从而改变电动机端电压的有效值，达到调速的目的。
4、可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示（1）整流电路采用桥式整流，将220伏，50赫兹交流电压变为脉动直流电。（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
5、：电路原理：电路图如下*** *** ******可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。TYN1225和4OTPs12都是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可相互替换。
TYN610不可以代换TYN1225。TYN610是单向可控硅：600V10A，TYN1225也是单向可控硅：1200V25A。可控硅(SCR：***Silicon***Controlled***Rectifier)是可控硅整流器的简称。
可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。
这个元器件不是三极管，而是ST公司的可控硅***1200V，***16A，管脚排列看下图。
BT151不是三极管，是一个单向可控硅，参数如下：BT151-500R是500V5A，BT151-650是650V5A，BT151-800是800V5A。尽量使用原型号，当然参数比它大的就可以替代，如BT-153就是800V16A，完全可以替代。
①、关于以上***TPDV1225是双向可控硅，其参数为//耐压：1200V//电流：25A//。②、关于以上那***TYN1225是单向可控硅，其参数为//耐压：1200V//电流：25A//。
1、这个元器件不是三极管，而是ST公司的可控硅***1200V，***16A，管脚排列看下图。
2、OTPs12。一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。
3、可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。
4、单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
5、TYN1225是单向可控硅，触发电压无要求，只对触发电流有要求（25mA），电流***25A***，电压1200V。
6、BT151是单向可控硅，可用TYN1225或CR10AM代替。
首先将bt152字面朝自己，管脚向下，左边第一只脚是触发极，中间脚是阳极，和散热片相连，右边脚是阴极。其次bt152是一只单向可控硅，额定电流5a，耐压800v。
该晶闸管的型号为BT137-800E，可以去网上直接搜该型号的数据手册，也可以去一些元器件网站去搜索。我是在我常用的网站-采芯网上搜的数据手册（datasheet），可以清晰看到引脚及其功能。
BTA20-600B是双向可控硅，引脚图如下***双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是AAG。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。
BT152***用MCR25N代替。BT***137******(X)******-600F。BT：可控硅。137：均方根电流代码。如：151313138。(X)：封装代码。如X：TO-220F。S：TO-252。600：耐压VD/VR。
判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。 可控硅测量好坏可以通过可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）的性能来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。 对于第一次和第二次测量，良好的晶闸管将显示低电阻。（注意一些晶闸管，好的晶闸管显示低电阻和“OL”，坏的晶闸管（短路）将显示0ohm2次）。坏的晶闸管（开路）将显示“OL”2次。测试G和K引脚，将显示2次低电阻。 本文转载自互联网，如有侵权，联系删除